判断题
器件电容决定MOS晶体管的动态特性,门电容和源漏结电容是主要的确定因素。
正确
判断题 MOS器件工作在亚阈值区,对于漏电流起决定作用的是扩散而不是漂移。
判断题 正向电压加到理想MOS二极管上时,能带向上弯曲,多数载流子积累。
判断题 改变氧化层厚度可以控制阈值电压。