问答题
试说明什么是LOCOS和它的主要作用以及该工艺的主要步骤，并说明该工艺存在的主要问题和解决方法。
LOCOS即硅的局部氧化隔离技术，是亚微米以前的硅IC制造的标准隔离技术。它是采用选择氧化方法来制备厚的场氧化层，且工艺......
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问答题 试说明MOS IC中器件之间是如何隔离的，并说明器件隔离的主要作用和基本方法。
问答题 试描述标准埋层双极晶体管工艺的主要流程并说明光刻掩膜版的作用。
问答题 试说明标准埋层双极晶体管的集电极是如何引出的及其作用。
