判断题
离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶,靶材料可以是晶体,也可以是非晶体,非晶靶也称为无定形靶。
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判断题 热扩散掺杂的工艺可以一步实现。
判断题 替位式扩散就是替位杂质和邻近晶格位置上的原子互换。
判断题 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种:间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。