问答题
由Si/SiGe材料系统研制的HEMT取得了哪些进展？
在300K和77K温度下，N沟道HEMT的跨导分别达到400mS/mm和800mS/mm；P沟道HEMT的跨导达到170......
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问答题 什么是赝晶或赝配HEMT？
问答题 什么情况下器件的栅极通常要考虑采用蘑菇型即T型栅极？
问答题 亚微米、深亚微米和纳米的具体范围是多少？
