问答题
下图是一个电路的部分版图，求A到B的总电容，已知某工艺的典型面电容值为：Cox为0.6，金属与衬地为0.03，金属与多晶硅为0.045，金属与扩区为0.05，多晶硅与衬地为0.045，面电容的单位为fF/μm2）。
金属与衬底：58λ2×0.03=1.74λ2，多......
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问答题 在下图中，分别给出测试1/1、3/1、4/0错误的测试向量。"
问答题 在下图中，利用NMOS管实现A与B的同或函数。
问答题 试用Weinberger阵列结构实现下列逻辑表达式：
