问答题
利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算栅极电容。
问答题 集成电容主要有几种结构?
问答题 什么是无源电阻?什么是有源电阻?举例说明。
问答题 试用电导率为102/(Ω·cm),厚1μm的材料设计1kΩ的电阻,设电阻宽1μm,求其长。