填空题 硅单晶中旋涡腐蚀分布图样很多，但基本上可分为二大类：（）分布和（）分布。

填空题 直拉单晶硅中，除线缺陷、面缺陷，析出和杂质条纹外，在无错单晶中，又发现一种（），它严重影响大规模集成电路性能和成品率。

填空题 晶体和坩埚旋转严重影响单晶中的（）含量。