问答题
高电子迁移率晶体管（HEMT）速度高的主要原因是什么？
器件在晶体结构中存在着类似于气体的大量可高速迁移电子，即二维电子气。
问答题 进一步提高MESFET性能的措施是什么？
问答题 为什么说栅长是MESFET的重要参数？
问答题 MESFET的有源层是如何形成的？它的导电沟道是如何控制的？
