单项选择题
MOS管沟道电容的平均分布情况取决于工作区域等因素,其中,MOS管处于截止区时,CGC主要来自();MOS处于饱和区时,CGC主要来自()。
A.CGCB;CGCDB.CGCS;CGCBC.CGCS;CGCDD.CGCB;CGCS
单项选择题 假设一个逻辑最坏情形的延时等于tplogic,它的最小延时为tcd,寄存器的传播延时为t(c-q),建立时间为tsu,保持时间为thold,时序电路正确工作的两个约束分别为对最小时钟周期T和对寄存器维持时间的要求,即()(其中t_cdregister是寄存器的最小传播延时)。
单项选择题 下面关于差分串联电压开关逻辑(DCVSL)的说法中,错误的是()
单项选择题 对于一个二进制全加器,A和B是加法器的输入,Ci是进位输入,S是和输出,而C0是进位输出,定义中间信号G=AB,D=AB,P =A⊕B,那么将S写为P和G的表达式为()。