单项选择题
以下关于DRAM和SRAM说法正确的是（）
A.DRAM具有双稳态特性 B.SRAM将每个位存储为对一个电容的充电 C.DRAM主要用于主存，帧缓冲区 D.SRAM对干扰非常敏感
单项选择题 以下哪些措施可能提高程序并行性（）
单项选择题 （）是两次运算之间间隔的最小周期数。
单项选择题 （）是执行实际运算所需要的时钟周期总数。
