单项选择题
在CMOS工艺中，最为昂贵的步骤是：（）
A.腐蚀 B.离子注入 C.光刻 D.CVD
判断题 提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。
判断题 MBE只能用于III-V族化合物的生长。
名词解释 等离子体
