多项选择题
影响CVD质量的因素有（）
A.沉积温度B.反应气体的比例C.基体材料D.压强
多项选择题 蒸镀制膜主要包括的物理阶段有（）
多项选择题 提拉法生长单晶体的优点有（）
多项选择题 适合熔体生长可以获得高质量单晶体的理想材料应具有（）
