问答题
采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点？
采用负载电阻会占用大量的芯片面积，而晶体管占用的硅片面积通常比负载电阻小，并且有源负载反相器电路比无源负载反相器有更好的......
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问答题 为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？
问答题 什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？
问答题 请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
