单项选择题
以下对于直拉生长描述错误的是（）。
A.重装料CZ法可以连续拉晶3-4根，但是有坩埚破裂的风险B.连续直拉法制备出的硅晶体电阻率相对比较均匀，但是掺镓除外C.连续直拉法拉出的硅晶体含氧和碳杂质均浓度低，晶体质量高D.连续直拉法可以在晶体生长过程中使熔体的液面保持恒定
单项选择题 在直拉硅生长过程中，熔体出现对流，以下对于对流的描述错误的是（）。
单项选择题 不可能存在于直拉硅中的杂质和缺陷有（）。
单项选择题 关于金属硅，以下描述错误的是（）。
