单项选择题
用CMOS管组合的两输入NAND门,若其中NMOS管的等效电阻为RN,PMOS管的等效电阻为RP,电容负载为CL,则当两输入都为高电平时其下拉传播延时可以近似为()。
A.0.345RNCLB.0.69RNCLC.1.38RNCLD.0.69RPCL
单项选择题 下面关于优化功耗规则的说法错误的是()
单项选择题 假设CMOS反相器的等效负载电容CL对于由高至低以及由低至高的翻转是完全一样的,Reqp和Reqn分别是PMOS管和NMOS管在所关注时间内的等效导通电阻,则反相器的传播延时定义为()。
单项选择题 下列关于降低CMOS反相器的降低电源电压说法错误的是()。