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集成电路技术综合练习

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单项选择题

用CMOS管组合的两输入NAND门,若其中NMOS管的等效电阻为RN,PMOS管的等效电阻为RP,电容负载为CL,则当两输入都为高电平时其下拉传播延时可以近似为()。

A.0.345RNCL
B.0.69RNCL
C.1.38RNCL
D.0.69RPCL

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