填空题
场效应管跨导gm表示()对漏电流iD的控制能力的强弱。
栅源电压(UGS)
填空题 场效应管的输入电阻(),漏极电流Id主要受()控制。
填空题 温度升高,晶体管的电流放大系数β(),反向饱和电流ICBO()正向结电压uBE()。
填空题 N型半导体是在半征半导体中掺入()元素,其多数载流子是(),少数载流子()。