单项选择题
下列关于Latch up效应说法不正确的是（）
A.衬底耦合噪声是造成Latch up问题的原因之一。 B.Latch up效应在电路上可以解释为CMOS集成电路中寄生三极管构成的正反馈电路。 C.Latch up效应与两个寄生三极管的放大系数有关。 D.Latch up效应与井和衬底的参杂浓度无关。
单项选择题 下列工具是布局布线工具（）
单项选择题 下列工具是综合工具的是（）
单项选择题 关于Stick Diagram，下列说法正确的是（）
