判断题 ‌一个P沟道MOSFET的阈值电压大于零，则该器件是增强型器件。‍

判断题 ​从发射区注入基区的多子形成的电流与总的发射极电流之比，称为注入效率。

判断题 ‎由于平面晶体管的基区宽度容易做得很小，加上基区中存在加速场，因此平面晶体管的β*与1非常接近。