判断题
CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好,但是反应的源气、余气有毒。
正确
判断题 区熔法可以生长熔点极高的晶体。
判断题 液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长过程中杂质的引入。
判断题 生长硅晶体最常用的方法是直拉法(Czochralski)。