单项选择题
（）可以很大程度降低氧化层钠离子的沾污。
A.高压氧化B.水汽氧化C.湿氧氧化D.含氯氧化
单项选择题 热氧化法生长100个单位厚度的二氧化硅会消耗（）个单位厚度的硅。
单项选择题 二氧化硅可以用作扩散掩蔽膜的原因是（）
单项选择题 集成电路制造工艺中，制备二氧化硅的方法有（）
