填空题
通过对沟道区进行离子注入可调整MOSFET的阈值电压,当注入的杂质与衬底杂质的类型相同时,N沟道MOSFET的阈值电压向()方向调整。
正
填空题 当在N型MOSFET的衬底加上一个负电位时,MOSFET的阈电压会(),这称为衬底偏置效应。
填空题 MOSFET的基本工作原理,是通过改变栅源电压来控制沟道的导电能力,从而控制()电流。
填空题 IES代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流,相当于单独一个()构成的PN结二极管的反向饱和电流。