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问答题

计算题

硅pn结的杂质浓度,计算pn结的反向击穿电压,如果要使其反向电压提高到300V,n侧的电阻率应为多少?

【参考答案】

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问答题 根据理想的pn结电流电压方程,计算反向电流等于反向饱和电流的70%时的反偏电压值。

问答题 硅pn结的杂质浓度分别为ND=3×1017cm-3,NA=1×1015cm-3,n区和p区的宽度大于少数载流子扩散长度,τn=τp=1μs,结面积=1600μm2,取Dn=25cm2/s,Dp=13cm2/s,计算  (1)在T=300K下,正向电流等于1mA时的外加电压;  (2)要使电流从1mA增大到3mA,外加电压应增大多少?  (3)维持(1)的电压不变,当温度 T由300K上升到400K时,电流上升到多少?

问答题 有两个pn结,其中一个结的杂质浓度ND=5×1015cm-3,NA=5×1017cm-3另一个结的杂质浓度,ND=5×1017cm-3,NA=5×1019cm-3,在室温全电离近似下分别求它们的接触电势差,并解释为什么杂质浓度不同接触电势差的大小也不同。

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