单项选择题
在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）
A.增大 B.减小 C.不变 D.先减小后增大
单项选择题 当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时，耗尽区加宽，使得阈值电压（）
单项选择题 耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）
单项选择题 双极型晶体管有（）
