问答题
为什么硅片热氧化结束时通常还要进行氢气或氢-氮混合气体退火?
距Si/SiO2界面2nm以内的Si的不完全氧化是带正电的固定氧化物电荷区;对于器件的正常工作,界面处的电荷堆积是不受欢......
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问答题 采用提拉法(CZ法,切克劳斯基法)和区熔法制备的硅片,哪种方法质量更高,为什么?那么目前8英寸以上的硅片,经常选择哪种方式制备,为什么?
问答题 化学机械平坦化的工作机理是什么?与传统平坦化方法相比,它有哪些优点?
问答题 Si3N4材料在半导体工艺中能否用作层间介质,为什么?请举两例说明Si3N4在集成电路工艺中的应用。