问答题 每拉出g=1/2处，ρ=1Ω·cm的硅单晶锭100g，所用的硅是区熔硅（即纯硅），问要掺杂质硼多少克？

问答题 简述位错对材料性能的影响及无位错单晶工艺的要点。

问答题 解释组分过冷并推导组分过冷产生的条件，讨论出现组分过冷时平坦界面上的干扰如何发展成胞状界面及枝蔓生长。