多项选择题 关于拉单晶时进行的缩颈步骤，下面的说法那种正确（）

问答题 一块电阻率为3Ω·cm的N-Si样品，空穴的寿命为τp=5μs，在其平面型的表面处有稳定的空穴注入，过甚空穴浓度为Δp（0）=1014cm-3，计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度。在离表面多远处过剩空穴浓度衰减到1012cm-3。

问答题 示意画出P型半导体在光照（小注入）前后的能带图，并标出原来的费米能级和光照下的准费米能级。