问答题
如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？
在第二次光刻生成有源区时，进行场氧生长前进行场区离子注入，提高寄生MOSFET的阈值电压，使其不易开启；增加场氧生长厚度......
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问答题 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响？
问答题 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？
问答题 什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？
