单项选择题
以下对于碳化硅性质描述错误的是（）。
A.可以用物理气相传输法制备SiC单晶B.C面的氧化速率比Si面高很多C.无论哪种生长方式，6H-SiC都最容易生长D.一般用SiC体单晶或者蓝宝石作为衬底制备SiC薄膜
单项选择题 以下对于氧化锌描述错误的是（）。
单项选择题 以下对于ZnO描述错误的是（）。
单项选择题 以下不是II-VI族半导体的制备方法的是（）。
