判断题 理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。

判断题 p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

判断题 栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。