填空题
热氧化工艺的基本设备有三种（）、（）和（）。
卧式炉；立式炉；快速热处理炉
填空题 制备半导体级硅的过程：1、（）；2、（）；3、（）。
填空题 晶圆制备中的整型处理包括（）、（）和（）。
填空题 影响CZ直拉法的两个主要参数是（）和（）。
