多项选择题
下面工艺参数变化会使得NMOS硅栅晶体管的阈值电压升高的有（）。
A.多晶硅和衬底半导体材料之间的功函数差的绝对值增大B.栅极氧化层厚度变薄（单位面积的栅氧化层电容增大）C.氧化层中的表面电荷（正电荷）减少D.在沟道区人工注入p型杂质离子使得单位面积的电荷密度升高
单项选择题 下图的版图中NMOS管在（）边，PMOS管在（）边。
单项选择题 在下面的晶体管剖面图中依次标出各个编号所指的部位对应的MOS管的结构名称和此晶体管的类型，表述正确的是（）。
多项选择题 下面选项中是用集成电路实现电路系统的好处的是（）。
