black

集成电路技术综合练习

登录

判断题

CVD淀积二氧化硅薄膜不会消耗硅片自己的硅。

【参考答案】

正确

相关考题

判断题 APCVD成膜速度快,可用于制备较厚的薄膜。

判断题 CVD常用于淀积介质薄膜。

判断题 VPE过程其实就是一种CVD的过程。

All Rights Reserved 版权所有©财会考试题库(ckkao.com)

备案号:湘ICP备2022003000号-2