判断题
在平衡p-n结中,由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流,而使p-n结中的静电流为零。
正确
判断题 产生直接跃迁与间接跃迁的原因主要取决于半导体材料的能带结构。
判断题 晶体缺陷分为点缺陷,面缺陷和线缺陷?
判断题 平面的方位影响受光面接受太阳辐射,如果自西向南稍偏东,则受光面接收到的日照辐射,上午较多,下午较少。