填空题
实验测得在1300℃时氧化镍的电导率随平衡氧气压力而变化的关系是σ=常数·pO21/6。试根据这一实验结果推断氧化镍是()型半导体。
p
填空题 ZnO加热,表面上发生热分解反应,生成的Zn向晶体内部扩散,生成非整比化合物Zn1+xO,这是()型半导体。NiO在氧气中反应,晶体变为阴离子过量的NiO1+x,这是()型半导体。
问答题 比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小。 (1)掺0.1mg/kg的As (2)掺0.1mg/kg的As和0.05mg/kg的Al (3)掺0.1mg/kg的As和0.1mg/kg的Al (4)掺1mg/kg的Al
问答题 什么是填隙缺陷?什么是空位缺陷?什么是置换缺陷?