单项选择题
关于CMOS反相器的开关阈值，下列说法错误的是（）。
A.开关阈值取决于PMOS和NMOS管相对驱动强度的比B.一般希望开关阈值处于电压摆幅的中点C.提高NMOS的驱动强度将使开关阈值趋近于GNDD.增加PMOS或NMOS的宽度使开关阈值分别向电线接地端或电源电压移动
单项选择题 由静态CMOS反相器的动态特性可知，一个快速门的设计是通过（）实现的。
单项选择题 下列关于静态CMOS的特性，错误的是（）。
单项选择题 晶体管是一个具有（）（当丨VGS丨T丨时）和（）（当丨VGS丨>丨VT丨时）的开关。
