单项选择题
锗晶体三极管的发射结的导通电压约为()。
A.0.2VB.0.3VC.0.7V
单项选择题 晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而()。
单项选择题 硅晶体三极管的发射结的死区电压约为()。
单项选择题 工作在截止和饱和状态的三极管可作为()器件来用。