判断题 小功率场效应管应注意击穿电压、最大耗散功率和漏极电流等参数。

判断题 功率VMOS场效应晶体管为多数载流子器件，开关速度快。一般低压器件开关时间为10ns数量级，高压器件为100ns数量级。适合于做高频功率开关。

判断题 VMOS场效应管被广泛应用于音频功率放大器、逆变器及开关电源等电子产品中。