单项选择题
集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于（）。
A.元器件的组成部分（如栅氧化层）B.源漏极C.互连层间绝缘介质D.作为掩蔽膜
单项选择题 以下对集成电路版图设计中几何设计规则描述不正确的是（）。
单项选择题 以下不是影响刻蚀质量的主要因素是（）。
单项选择题 下列有关集成电路发展趋势的描述中，不正确的是（）。
