单项选择题
互补CMOS 2输入与非门和伪NMOS 2输入与非门相比,正确的表述是()。
A.互补CMOS逻辑门的下降速度更快,静态功耗更高B.互补CMOS逻辑的下降速度更快,静态功耗更低C.伪NMOS逻辑的下降速度更快,静态功耗更高D.伪NMOS逻辑的下降速度更快,静态功耗更低
多项选择题 增加去耦电容可以抑制Ldi/dt效应,那么芯片内部去耦电容正确的放置方式是()。
单项选择题 芯片中通常把电源线和地线布线成纵横交错的网格状,以降低IR drop,其原理是()。
多项选择题 下列情形中会使得存在电容串扰时受害信号线受到更大干扰的是()。