多项选择题
对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较正确的是（）
A.IGBT的开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTOB.GTR的开关速度高，驱动电路复杂，存在二次击穿问题C.GTO的电压、电流容量大，但其关断增益也很大D.电力MOSFET的开关速度最快，但驱动电路比较复杂
单项选择题 下列不属于交流电力电子开关特点的是（）
单项选择题 SVPWM调制实现过程中，以下不属于其生成步骤的是（）
单项选择题 SVPWM相比于SPWM，不属于SVPWM特点的是（）
