判断题 标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。

判断题 从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。

判断题 常用的IC设计方法有全定制设计方法、标准单元设计方法、门阵列设计方法和可编程逻辑电路设计方法等。对于性能要求很高或批量很大的产品，如存储器、微处理器等，一般采用可编程逻辑电路设计方法。