多项选择题
降温法生长关键控制技术包括()等。
A.精确控制降温速率B.合理的供热方式和搅拌程序C.轻放轻取不引入应力D.选择合理的生长速率
单项选择题 膜层与基片的结合强度相比较:()。
单项选择题 气相生长晶体的关键是()
单项选择题 气相生长的基本原理:气相原子或分子运动到晶体表面,在一定的条件下被晶体吸收,形成稳定的()。俘获吸附原子,台阶运动蔓延整个表面,便生长一层晶体薄膜。