问答题 在一N-Ge样品中，过剩载流子浓度为1014cm-3，空穴寿命100μs，计算该样品中空穴的复合率。

问答题 473K时硅的求本征硅的电阻率ρi。

问答题 掺硼1.1×1016cm-3和磷9×1015cm-3的硅样品，计算室温下多子浓度和少子浓度。如果电子迁移率μn=1000cm2/v·s，空穴迁移率μp=360cm2/v·s，求电阻率。