单项选择题
一般所说的电子崩,往往是指电子崩区域,电子崩头的电荷密度远远大于崩的中部和崩的尾部,且()集中在崩头。
A.正电荷B.分子流C.负电荷D.离子流
单项选择题 试验表明,击穿通道是局限在狭窄的()形通道中,且有分支,说明放电过程与局部条件有关,有偶然因素。
单项选择题 当外加()很高,达到间隙的击穿场强时,电子崩的发展形成流注,实现击穿。
单项选择题 一旦形成流注,放电就进入了新的阶段,放电可以由其本身产生的空间()提供电子,只在外施电压作用下而自行维持,即转入自持放电。