判断题
减薄p+n突变结的轻掺杂区厚度,不但能减少存储电荷,还能降低反向抽取电流。
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判断题 反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。
判断题 PN结的p型和n型间的势垒随正向偏压而升高。
判断题 根据耗尽近似得到的结,电场强度正好在冶金结分界处达到最大值。