单项选择题
如果制作栅氧结构,一般采用的方法是()。
A.湿氧氧化B.氢氧合成C.CVDD.干氧氧化
判断题 CMOS电路是通过有源区进行隔离的,属于绝缘介质隔离。
判断题 STI技术相比LOCOS工艺,占地面积更小,而且不会产生鸟嘴效应。
判断题 光刻时,必须将硅片与掩模版进行对准,不同的掩模版之间也要对准,可以采用仔细观察的方法。