单项选择题
未进行掺杂的二氧化硅薄膜,通常简写为()。
A.PSGB.USGC.BSGD.FSG
单项选择题 我们利用LOCOS技术制作MOS中的()。
单项选择题 显影后,被曝光区域的光刻胶被去除,该种光刻胶称为()。
单项选择题 MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为()。