问答题 简述N型MOSFET的工作原理。

问答题 室温下．本征锗的电阻率为94Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022/cm3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn＝3600cm2/V·s，μp＝1700cm2/V·s且认为不随掺杂而变化。ni＝2．5×1013/cm3。

问答题 中心对称是版图匹配中常用的技巧，请解释它是如何减少温度梯度的影响的？请再举出三个版图匹配的原则。