多项选择题
以下对于硅材料特性的描述正确的是（）。
A.电子迁移率高，高频性能好B.发光效率高C.器件工作温度高（达250℃）D.容易形成结构高度稳定的绝缘层
多项选择题 形成P型硅的掺杂剂是（）。
单项选择题 以下对于II-VI族半导体描述错误的是（）。
单项选择题 以下对于GaN（氮化镓）描述错误的是（）。
