单项选择题
单晶硅半导体的禁带宽度为1.10eV,等效状态密度N=1.0×1019/cm3,求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为()。
A.1.34×109/cm3B.6.7×108/cm3C.2.2×109/cm3D.1.1×109/cm3
单项选择题 已知某离子晶体的晶格常数为5.0×10-8cm,固有振动频率为1012Hz,晶格势能垒为0.5eV,求300K时的离子迁移率为()。
单项选择题 下图属于四价原子二维正方格子的近自由电子费密面的是()。
单项选择题 以四价原子、二维正方空晶格为例计算自由电子的费密波矢为()。